英特尔在1平方毫米中塞下1亿个晶体管——其实就是10nm制程

本文摘要：(公众号：)按：对科技媒体来说，“里程碑”一词经常出现的频率非常低，一个可爱的整数或某某周年纪念日都是点击量的确保。本周二，英特尔也抢走了一回头条，因为芯片巨头逻辑技术部门副主席 Kaizad Mistry 宣告，他们早已有能力在 1 平方毫米中塞下 1 亿个晶体管，“意味著是行业历史上史无前例的。”对，这也可以却是个“里程碑”式的变革。在同等面积内塞进更加多晶体管意味著电路设计能获得有效地瘦身，不但能减少芯片生产成本，还意味著在同等体积上，芯片能取得更加多功能。

(公众号：)按：对科技媒体来说，“里程碑”一词经常出现的频率非常低，一个可爱的整数或某某周年纪念日都是点击量的确保。本周二，英特尔也抢走了一回头条，因为芯片巨头逻辑技术部门副主席 Kaizad Mistry 宣告，他们早已有能力在 1 平方毫米中塞下 1 亿个晶体管，“意味著是行业历史上史无前例的。”对，这也可以却是个“里程碑”式的变革。在同等面积内塞进更加多晶体管意味著电路设计能获得有效地瘦身，不但能减少芯片生产成本，还意味著在同等体积上，芯片能取得更加多功能。

这条“里程碑”式的新闻问世于英特尔首届“技术与生产日”活动，在这次活动上，我们不但以求一窥芯片巨头的芯片布局和PCB技术，还听见了一个振奋人心的论点——摩尔定律并未杀，最少对英特尔是这样的。“1 平方毫米中塞下 1 亿个晶体管”只是个文艺的众说纷纭，用专业名词来讲，这就是我们早已耳闻无数次的 10nm。什么？这也叫里程碑？配备骁龙 835（10nm） 的Galaxy S8 都慢上市了拜托。

不过，英特尔还真为不服气，它指出现在友商口中的所谓 10nm 早已是用过了美图秀秀的磨皮版，掩饰了栅极间距、晶体管密度等关键指标，自家 14nm 工艺不足以相媲美那些所谓的 10nm 了。今年一月份在总结英特尔 10nm 芯片路线图时，芯片巨头还没公开发表晶体管的明确尺寸。不过本周，最后数据再一揭晓了，英特尔的 10nm 节点将鳍片间距做了 34nm，而大于金属间距则做了 36nm（这两个数据在 14nm 节点时分别为 42nm 和 52nm）。

在这次活动上，Mark Bohr（工艺架构与统合资深研究员）必要换回了个踢法，英特尔想再行和三星、台积电玩游戏“数字”游戏了，以后英特尔要用密度度量法来定义工艺节点。如果使用这种标准来计算出来，英特尔最近几年都是两倍两倍的提高晶体管密度。

举例来说，22nm 演化为 14nm 的时候，晶体管密度提高了 2.5 倍，14nm 演化为 10nm 时，密度则又提高了 2.7 倍。最重要的是，10nm 芯片在运算速度和功耗下有了较小变革（Bohr 更加重视后者的展现出）。不过，英特尔这种度量方法究竟能无法在整个业界实行现在还是个未知数。

EE Times 专访了多位业内人士，一位不明示的台积电发言人回应：“英特尔怎么算数的算数让我有些暗。举例来说，它们第一代 14nm Broadwell 芯片每平方毫米有 1840 万个晶体管，但换回了新的度量方式，晶体管怎么忽然变为 3750 万了？英特尔是在玩文字游戏吧？”因此，英特尔口中的 1 亿个晶体管还是可以挑些螫的。

不过，芯片巨头仍然特别强调每次技术节点升级就能让同等面积下晶体管数量翻番的概念，英特尔将这种升级策略称作“微克度”。英特尔的 Ruth Brain 回应，在 14nm 芯片上，公司开始用于取名为自对准双重曝光工艺（SADP）的技术。SADP 是多重光学技术的一种，通过该技术芯片就能之后用 193nm 沉浸式光刻技术生产了。Brain 指出其他公司的多重曝光技术更为非常简单，光刻时会再次发生些许背离。

必须留意的是，这项技术的关键是光刻机在每次曝光时都找准同一地点，一旦经常出现偏差，芯片展现出和良率都将受到影响，而 SADP 技术能规避这一问题。在 10nm 芯片上，英特尔又配上了自对准四重曝光工艺（SAQP），未来该技术将之后用在芯片巨头的 7nm 芯片中。当然，未来极紫外光刻技术（EUV）有可能也不会转入芯片生产领域，原本的 193nm 紫外光将增大到 13.5nm。在讲解新的技术突破时，工程师总讨厌轻描淡写期间遇上的艰难。

“摩尔定律有意思的地方就在于它的构建看上去命中注定，但其中的艰苦很难用言语来叙述，想要大大突破必需有创意。”Mistry 说。Mistry 回应，眼下 FinFET 晶体管还是业内标杆，但 2011 年有可能就不会过时。

“在芯片行业，每前更进一步都十分艰难，但一旦制成了，就变为了理所当然，这就是摩尔定律的魔力。”Via.Spectrum.。

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